mlc和tlc的區別 mlc和tlc的區別是啥

1、成本不同。閃存顆粒最早只有SLC技術顆粒；為了降低成本，廠商研發出了MLC顆粒；為了進一步降低成本，廠商研發出了TLC顆粒，所以TLC的成本比MLC更低低。

2、性能不同。閃存顆粒本質上是一塊指甲蓋大小的硅板，這個硅板被用極紫外光雕刻成數十億個納米級的存儲單元，而新一代的TLC顆粒性能上要比MLC更為優越。

MLC是英特爾在1997年9月最先開發成功的，通過精確控制Floating Gat上的電荷數量，使其呈現出4種不同的存儲狀態，每種狀態代表兩個二進制數值(從00到11)。也就是説SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構可以有比較好的儲存密度，再加上可利用比較老舊的生產程備來提高產品的容量，而無須額外投資生產設備，擁有成本與良率的優勢。不過MLC架構有着缺點，首先是使用壽命較短，MLC架構只能承受約1萬次的存取，遠低於SLC架構的10萬次。其次就是存取速度，SLC架構比MLC架構要快速三倍以上，加上MLC架構對於電力的消耗較多。

TLC：Trinary-Level Cell，即存儲器可以存放3bit數據，速度慢壽命短，價格便宜，約1000次擦寫壽命。這是目前大部分固態硬盤的閃存類型。QLC：Quad-Level Cell即4bit/Cell，產品剛上市，主要是對剛機械硬盤，容量一般500GB起步，容量最大，但是壽命最短，速度也最慢，價格也比較便宜，但是產品不多。2009年TLC架構正式問世，代表1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠東芝引發戰火，之後三星電子也趕緊加入戰局，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。